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如何利用X射線能譜進行微區元素分析?應用案例分享

點(diǎn)擊(jī)次數:189 更新時間:2026-03-25

   廣電計量提供覆蓋Si、SiN、LiNbO₃等材料體系的矽光芯片全流程測試服務,功能單元包含矽光芯片、MPD、Heater、MZI、光波導及激光器等。測試項目涵蓋耦合損耗、調制效率、傳輸損耗、帶寬、電阻、暗電流、響應度、眼圖、模斑等參(cān)數測試 ,支持批量篩選與定制化方案;同時具備(bèi)HTOL、HTRB、THB等老煉及可靠性驗證能力。作爲工信部“面向集成電路、芯片産業的公共服務平台",廣電計量是國内完成激光發射器、探測器全套AEC-Q102車規認證的前沿第三方檢測機構,可依據GR-468及客戶委托标準,提供從研發驗證到量産篩選的一站式技術支撐。

服務背景

在半導(dǎo)體制造領域,材料表面納米級的化學污染、氧化及元素偏析問題,已成爲影響器件電(diàn)性能、可靠性和工藝穩定性的關鍵瓶頸。

主要應用包括:

·通過元素含量/價态對(duì)比封裝基闆表面工藝處(chù)理效果

·通過(guò)元素含量/價态對(duì)比器件是否受到污染

材料成分分析的利器:X射線能譜(EDS)技術原理解析

測試案例

封裝基闆通過不同plasma處(chù)理方式後表面元素對(duì)比

材料成分分析的利器:X射線能譜(EDS)技術原理解析

正常線纜(lǎn)與失效線纜(lǎn)元素對(duì)比

材料成分分析的利器:X射線能譜(EDS)技術原理解析