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廣電計量亮相全國新型半導體功率器件及應用技術研讨會

點(diǎn)擊(jī)次數:2497 更新時間:2021-12-27

12月17-19日,中國半導體行業協會半導體分立器件分會主辦(bàn)的“第七屆全國新型半導體功率器件及應用技術研讨會暨2021半導體功率器件技術創新與産業融合發展論壇"在重慶隆重召開。活動邀請瞭(le)半導體行業企業、知M高校、科研機構等專家學者齊聚一堂,共話半導體功率器件技術創新前沿話題。

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廣電計量作爲唯YI一家第三方計量檢測機構受邀參(cān)展,現場展示産品全壽命周期檢測與失效分析技術服務方案,廣電計量半導體技術副總監李汝冠博士在會上帶來《SiC 功率器件的可靠性測試需求》主題報(bào)告。

半導體産業是支撐經濟社會發展的戰略性、基礎性和先導性産業。當前 ,世界正經曆百年未有之大變(biàn)局,以新一代信息技術爲代表的新一輪科技革命和産業變(biàn)革正蓬勃興起,半導體作爲信息基礎的基石,在國民經濟和社會發展中的地位進一步凸顯,而半導體功率器件作爲重要的基礎環節,其發展水平直接決定瞭(le)産業的競争力。

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圍繞半導(dǎo)體功率器件的技術創(chuàng)新話題,廣電計量半導(dǎo)體技術副總監李汝冠發表題爲《SiC 功率器件的可靠性測試需求》的主題演講。李汝冠介紹,碳化矽(SiC)具有寬禁帶、高擊穿電場、高熱導率等優勢,在“新基建"七大領域及“雙碳"領域起到至關重要的作用,應用前景光明。然而,其可靠性缺乏長期、大規模應用的曆史數據支撐 ,需要經過大量測試進行驗證。用於(yú)驗證Si器件長期穩定性的許多方法可以直接應用到SiC上,但是目前SiC的失效機理尚未*掌握 ,需要嘗試增加各種方式來激發SiC的失效。對此,李汝冠重點解析瞭(le)SiC需要額外增加的可靠性試驗,引起現場參會人員的高度關注。

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據介紹 ,廣電計量已具備(bèi)完善的半導(dǎo)體芯片與元器件解決方案,是國内極少數已完成AEC-Q100、AEC-Q101、AEC-Q102、AEC-Q104、AEC-Q200完整驗證報(bào)告的第三方檢測機構,可爲電動汽車、5G通信、軌道交通等領域的IGBT和以氮化镓(GaN)、碳化矽(SiC)爲代表的第三代半導體器件提供可靠性驗證服務,並(bìng)對産品的設計和工藝改進提供分析和建議。

作爲半導體檢測(cè)技術服務領域的重要力量,廣電計量已在上海、廣州建立瞭(le)半導體檢測(cè)實驗室,累計投入300多台套檢測分析設備,由10餘名博士、專家組成瞭高水平技術隊伍,持續爲數十家半導體行業知M企業提供瞭各類測試、驗證與分析服務,助力半導體産業鏈質量提升。