功率器件可靠性是器件廠商和應用方除性能參(cān)數外關注的，也是特性參(cān)數測試無法評估的，失效分析則是分析器件封裝缺陷 、提升器件封裝水平和應用可靠性的基礎 。廣電計量功率器件失效根因分析強大專家技術團隊擁有先進的失效分析設備(bèi) ，專注功率器件失效根因分析，可爲客⼾提供完整的失效根因分析服務。
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更新日期：2025-08-30
價格 ：
| 品牌 | 廣電計量 | 加工定制 | 是 |
|---|---|---|---|
| 服務區域 | 全國 | 服務周期 | 常規3-5天 |
| 服務類型 | 元器件篩選及失效分析 | 服務資質 | CMA/CNAS認可 |
| 證書報告 | 中英文電子/紙質報告 | 增值服務 | 可加急檢測 |
| 是否可定制 | 是 | 是否有發票 | 是 |
功率器件失效根因分析強大專家技術團隊服務範圍
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分⽴器件 ，以及上述元件構成的功率模塊
檢測标準
l GJB548B-2005微電⼦器件試驗⽅法和程序
l GJB8897-2017軍(jūn)⽤電(diàn)⼦元器件失效分析要求與⽅法
l QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求
檢測項目
試驗類型 | 試驗項⽬ |
⽆損分析 | X 射線透視、聲學掃(sǎo)描顯微鏡(jìng)、⾦相顯微鏡(jìng) |
電特性/電性定位分析 | 電參(cān)數測(cè)試、IV&CV 曲線量測(cè)、ESD、Photon Emission、OBIRCH、ATE 測(cè)試與三溫(常溫/低溫/高溫) 驗證 |
破壞性分析 | 開封、去層(céng)、切⽚、芯⽚級切片 、推拉力測(cè)試 |
微觀顯微分析 | DB FIB切⽚截⾯分析、FESEM 檢(jiǎn)查、EDS微區元素分析 、掃描電(diàn)鏡、透射電(diàn)鏡 |
相關資質
CNAS
功率器件失效根因分析強大專家技術團隊服務背景
受益於國産替代趨勢，國内功率器件廠商迎來瞭(le)發展機會 。在成長中廠商迫切希望減少或消除産品失效，並(bìng)在設計 、⼯藝和産品研發、量産、可靠性測試、封裝等階段進⾏改進，以迅速占領市場。
我們的優勢
廣電計量擁有專家團隊及先進的失效分析設備(bèi)，專注功率器件失效根因分析，可爲客⼾提供完整的失效根因分析服務，針對産品的研發設計、來料檢驗、加⼯組裝 、測(cè)試篩選、客⼾端使⽤等各個環節，爲客⼾提供失效分析咨詢、協助客⼾開展設計規劃、以及分析測(cè)試服務 。
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