雙束掃描電子顯微鏡檢測CMA/CNAS認可

雙束掃描電子顯微鏡檢測CMA/CNAS認可服務内容

廣電計量的DB-FIB均配備(bèi)瞭(le)納米機械手，氣體注入系統（GIS）和能譜EDX，能夠滿足各種基本和高階的半導體失效分析需求。還将持續不斷地投入先進電子顯微分析設備(bèi)，不斷提升和擴充半導體失效分析相關能力，爲客戶提供細緻且全面深入的失效分析解決方案。

服務範圍

目前DB-FIB被廣泛應用於(yú)陶瓷材料、高分子、金屬材料、生物、半導體、地質學等領域的研究和相關産品檢測(cè)。

檢測标準

廣電計量執行：國家标準（GB/T）、國家汽車(chē)行業标準（QC/T）、國際标準（ISO）、以及國内外各大汽車(chē)主機廠(chǎng)标準。

測試項目

1、定點截面加工

2、TEM樣品成像分析

3、選擇性刻蝕或增強(qiáng)刻蝕檢(jiǎn)驗

4、金屬材料沉積和絕緣層(céng)沉積測(cè)試

檢測資質

CNAS、CMA

檢測周期

常規5-7個工作日

雙束掃描電子顯微鏡檢測CMA/CNAS認可服務背景

著(zhe)半導體電子器件及集成電路技術的飛速發展，器件及電路結構越來越複雜，這對微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來越高。FIB雙束掃描電鏡所具備的強大的精細加工和微觀分析功能，使其廣泛應用於(yú)微電子設計和制造領域。

FIB雙束掃描電鏡是指同時具有聚焦離子束(FocusedIonBeam，FIB)和掃描電子顯微鏡(ScanningElectronMicroscope，SEM)功能的儀器。它可以實現SEM實時觀測(cè)FIB微加工過程的功能，把電子束高空間分辨率和離子束精細加工的優勢集於(yú)一身。其中，FIB是将液态金屬離子源産生的離子束經過加速，再聚焦於(yú)樣品表面産生二次電子信号形成電子像，或強電流離子束對樣品表面刻蝕，進行微納形貌加工，通常是結合物理濺射和化學氣體反應，有選擇性的刻蝕或者沉積金屬和絕緣層。

我們的優勢

廣電計量聚焦集成電路失效分析技術，擁有專家團隊及目前市場上先進的Ga-FIB系列設備，可爲客戶提供完整的失效分析檢測服務，幫(bāng)助制造商快速準確(què)地定位失效，找到失效根源。同時，我們可針對客⼾的研發需求，提供不同應⽤下的失效分析咨詢、協助客戶開展實驗規劃、以及分析測試服務，如配合客戶開展NPI階段驗證，在量産階段(MP)協助客戶完成批次性失效分析。