5G大規模集成電路芯片失效分析CNAS認證

5G大規模集成電路芯片失效分析CNAS認證服務範圍

大規模集成電路芯片

檢測項目

（1）無損分析：X-Ray、SAT、OM 外觀(guān)檢(jiǎn)查
。

（2）電(diàn)特性/電(diàn)性定位分析：IV 曲線量測(cè)、Photon Emission、OBIRCH、ATE 測(cè)試與三溫(常溫/低溫/⾼溫)驗證。

（3）破壞性分析：塑料開封、去層(céng)、闆級切片、芯片級切片、推拉力測(cè)試。

（4）微觀(guān)顯微分析：DB FIB 切片截面分析、FESEM 檢(jiǎn)查、EDS 微區元素分析。

相關資質

CNAS

5G大規模集成電路芯片失效分析CNAS認證服務背景

随著(zhe)國家在5G通信領域的快速發展，我國5G通信技術的自主化腳步也越走越快，集成電路開始向著(zhe)芯片設計研發的方向發展，芯片結構和制造工藝也日益複雜，如何快速準確地定位失效，找到失效根源變成瞭(le)一個非常重要的課題和挑戰。

我們的優勢

廣電計量擁有專家團隊及先進的失效分析設備，可爲客戶提供完整的失效分析檢測服務，幫(bāng)助制造商快速準確(què)地定位失效，找到失效根源，助力5G通信快速穩步發展。同時，可針對客戶的研發需求，提供不同應⽤下的失效分析咨詢
、協助客戶開展實驗規劃、以及分析測試服務。如配合客戶開展NPI階段驗證，在量産階段(MP)協助客戶完成批次性失效分析。