芯片級試驗驗證全國6大專項實驗室

芯片級試驗驗證全國6大專項實驗室服務範圍

大規模集成電路芯片

檢測标準

●JESD22-A103/ A104/ A105/ A108/ A110

●J-STD-020

●JS-001/002

●JESD78

檢測項目

（1）芯片級可靠性驗證試驗：高
、低溫壽命老化試驗，高、低溫存儲試驗
，溫度(功率)循環、沖(chōng)擊試驗，高溫高濕試驗，高加速應力試驗
，芯片級機械測(cè)試試驗，推拉力測(cè)試。

（2）芯片靜電(diàn)及闩鎖測(cè)試( ESD/LU）：人體、機器放電(diàn)模式測(cè)試及驗證(HBM/MM/TLP)，系統 ESD、EOS 測(cè)試(IEC-ESD/Surge/EFT)，元器件充放電(diàn)模式測(cè)試(CDM)，闩鎖測(cè)試(LU)。

相關資質

CNAS

芯片級試驗驗證全國6大專項實驗室服務背景

EUV制程工藝的高集成度芯片是新一代5G通信技術的核心。面向不同的5G應用場(chǎng)景的可靠性應用驗證是5G芯片推向市場(chǎng)應用的關(guān)鍵步驟，芯片級試驗驗證的需求越來越急迫，挑戰也越來越大。

我們的優勢

（1）提供面向多場景的芯片動态老煉測(cè)試（TDBI），爲産品NPI階段提供專業和全面的⽼煉測(cè)試方案，解決動态⽼煉過程中⾼功耗芯片獨立溫控，矢量畸變(biàn)和延時的衆多困擾；

（2）芯片封裝完整性全面測(cè)試，包含引線鍵合拉力，芯片粘接力，可焊性等，對(duì)芯片封裝可靠性進⾏更爲科學的評估；

（3）芯片靜電(diàn)及闩鎖測(cè)試，提供覆蓋人體/機器放電(diàn)模式測(cè)試及驗證( H B M / M M / T L P )、系統E SD/ E O S測(cè)試( I E CESD/Surge/EFT)、元器件充放電(diàn)模式測(cè)試(CDM)和闩鎖測(cè)試(LU)。